搜索结果: 1-15 共查到“物理学 Se”相关记录19条 . 查询时间(0.024 秒)
中国科学院广州地球化学研究所陈绮静等-JGR-SE：大理苦橄岩中橄榄石熔体包裹体的水含量和氢同位素研究——重新评估水在峨眉山大火成岩省形成中的作用（图）
陈绮静 氢同位素 红外光谱
2023/11/28
大火成岩省是短时、巨量喷发的镁铁质岩浆建造，代表了地球内部巨量物质和能量的集中释放。地质记录表明，大火成岩省可以通过大规模火山脱气（包括H2O、SO2、CO2、F和Cl）对全球环境产生重大影响，可能造成生物大灭绝等重大灾变事件。大火成岩省的成因目前还没有一致看法，早期科学家们都强调了过量的热或者减压熔融的作用，但是后来的研究者强调岩浆中高的水含量对大火成岩省的形成才是最重要的因素。位于我国西南地区...
层状过渡金属硫化物亚稳相MX2 (M = Mo, W; X = S, Se)具有丰富的晶体结构和电子结构，是材料学、电化学和凝聚态物理领域的研究热点材料。2023年来，中国科学院上海硅酸盐研究所黄富强研究员、方裕强助理研究员团队在亚稳相MX2的材料制备和新奇物理化学性质研究中取得系列进展。相关成果发表于Nat. Phys.; Adv. Mater.；Nat. Commun.; J. Am. Che...
层状过渡金属硫化物亚稳相MX2 (M = Mo, W; X = S, Se)具有丰富的晶体结构和电子结构，是材料学、电化学和凝聚态物理领域的研究热点材料。近年来，中国科学院上海硅酸盐研究所黄富强研究员、方裕强助理研究员团队在亚稳相MX2的材料制备和新奇物理化学性质研究中取得系列进展。相关成果发表于Nat. Phys.; Adv. Mater.；Nat. Commun.; J. Am. Chem. ...
2022年1月14日，中科院合肥研究院强磁场中心关于铁基超导Fe(Te,Se)中晶格畴壁缺陷束缚态的研究取得重要进展，研究成果发表在国际知名期刊Physical Review Letters上。本研究工作由中科院合肥研究院强磁场中心郝宁研究员与北京应用物理与计算数学研究所张平研究员合作完成，第一作者是由郝宁研究员指导、强磁场中心联合培养的北京大学博士研究生宋锐。
二维BX(X=S,Se,Te)结构预测与性质的第一性原理研究
结构预测 电子结构 力学性质 载流子迁移率
2019/4/8
采用基于粒子群优化算法的结构预测程序CALYPSO结合密度泛函理论的VASP软件包，预测得到二维BX(X=S、Se、Te)的最低能量结构，该结构是由B和X原子形成的双层褶皱的六角密堆积结构，层与层之间较强的B-B键是稳定结构的关键．凝聚能和声子谱计算结果表明二维BX(X=S、Se、Te)在热力学和动力学上均是稳定的．能带结构和电子态密度的计算分析发现三种二维材料均呈现间接带隙半导体行为，带隙分别为...
MAPPING LAND COVER IN THE TAITA HILLS, SE KENYA, USING AIRBORNE LASER SCANNING AND IMAGING SPECTROSCOPY DATA FUSION
GEOBIA LCCS Hyperspectral data
2015/5/7
The Taita Hills, located in south-eastern Kenya, is one of the world’s biodiversity hotspots. Despite the recognized ecological importance of this region, the landscape has been heavily fragmented d...
常压下Se和Te电子结构和弹性性质的第一性原理计算
第一性原理计算 能带结构 弹性系数 德拜温度
2011/1/26
利用基于密度泛函的第一性原理, 计算ⅥA族元素Se和Te在常压下的能带结构、 电子态密度、 弹性系数和德拜温度. 能带结构和电子态密度的计算结果表明: Se为间接带隙半导体, Se费米面附近的导带和价带主要来自外层4p4电子的贡献, 4s2电子对费米面附近的导带和价带贡献较少; Te为直接带隙半导体, Te费米面附近的导带和价带主要来自外层5p4电子的贡献, 5s2电子对费米面附近的导带和价带贡...
Effect of p-d hybridization and structural distortion on the electronic properties of AgAlM2 (M = S, Se, Te) chalcopyrite semiconductors
A. Chalcopyrite A. Semiconductors E. Density Functional Theory E. TB-LMTO
2010/11/1
We have carried out ab-initio calculation and study of structural and elec-tronic properties of AgAlM2 (M = S, Se, Te) chalcopyrite semiconductors using Density Functional Theory (DFT) based self cons...
se Measurements of Direct CP Violation, CPT Symmetry, and Other Parameters in the Neutral Kaon System
se Measurements of Direct CP Violation, CPT Symmetry Other Parameters Neutral Kaon System
2010/11/1
We present precise tests of CP and CPT symmetry based on the full dataset of K ! ππ decays
collected by the KTeV experiment at Fermi National Accelerator Laboratory during 1996, 1997, and 1999.
偶偶Ge和Se同位素核的形变HF态及负宇称带研究
形变HF态 角动量投影 单粒子能谱 负宇称带
2009/5/25
将具有负宇称的fp轨道空间扩大到包含具有正宇称的1g9/2轨道,采用修正的表面δ相互作用,对64Ge,66Ge,68Ge,70Se,72Se和74Se等6个偶偶核做了形变HF计算.得到了基态和一些激发态的解.同时,还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法,对64Ge和74Se进行了能谱计算,得到其正、负宇称带的解,计算结果与实验谱基本一致.
Structural and Elastic Properties of MgX (X=Se, Te) Semi Conducting Compounds under High Pressure
Alkaline earth chalcogenides phase transitions high-pressure
2008/1/30
In the present paper, we have investigated the high-pressure structural phase transition of magnesium chalcogenides using the three-body potential (TBP) model. Phase transition pressures are associate...
Preparation of nanometer-size se powders of uniform particle size by the r-radiation method
2007/7/28
期刊信息
篇名
Preparation of nanometer-size se powders of uniform particle size by the r-radiation method
语种
英文
撰写或编译
作者
朱英杰，钱逸泰
第一作者单位
刊物名称
Materials Letters
页面
1996,Vol.28
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
纳...
Transient Photoconductivity in Amorphous Se-Ge-Ag System
Persistent photoconductivity Chalcogenide Glasses Photoconductivity
2005/9/30
Transient Photoconductivity measurements have been made in vacuum evaporated thin films of Se0.80 - xGe0.20Agx at different intensities, temperatures and illumination times. The films exhibit long-liv...
Composition Dependence of Photoconductivity in Amorphous Thin Films of Se.80-xTe.20Gex
Chalcogenide Glasses Photoconductivity Amorphous Thin films
2004/4/30
The present paper reports the dependence on composition of photoconductivity in vacuum evaporated thin films of amorphous Se.80-xTe.20Gex (x = .05, .10, .15 and .20). Temperature dependence of conduct...
AC conductivity and Dielectric Study of Chalcogenide Glasses of Se-Te-Ge System
correlated barrier hopping dielectric constants
2003/4/30
The ac conductivity and dielectric properties of glassy system SexTe79 - xGe21, with x = 11, 14, 17 at.%, has been studied at temperatures 300 to 450 K and over a wide range of frequencies (50 Hz to 5...