搜索结果: 1-12 共查到“电子物理学 GaAs”相关记录12条 . 查询时间(0.125 秒)
GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
正电子湮没 长缺陷 GaAs晶体
2009/8/17
本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950°掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷. 在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11ps的寿命组分τ2, 其强度I2, 多普勒加宽S参加和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大. 在掺Te外延晶体中, 312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大, 在熔体生长晶体中, 该陷阱...
A1/GaAs界面微结构的慢正电子束研究
A1/GaAs界面微结构 慢正电子束
2009/5/21
基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式.测量不同膜厚、不同退火条件下A1/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现A1/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好.通过拟合,得出了界面S参数S1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论.
通过计算几种主要散射机制对GaAs迁移率和电导率的影响, 给出了GaAs迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律; 考虑常温、低偏置电场下费米能级对载流子浓度的约束, 给出了光激励下GaAs中的饱和载流子浓度; 结合微带实验测试电路方程、饱和载流子浓度计算结果、半导体迁移率和电导率随载流子浓度的变化规律, 以及半导体材料对激励光强的朗伯吸收规律, 给出了微带测试电路条件下的饱和光能和饱和电压等参数, ...
GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究
光导开关 砷化镓 磷化铟 化合物半导体
2007/12/8
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与非线性工作模式及触发稳定性等特性.结果表明,利用InP和GaAs两种材料制作的光导开关都具有达到皮秒级的超快时间响应,其对时间最佳响应与偏置电场有关.两种开关的多次触发时间...
应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
2007/7/28
专著信息
书名
应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
语种
中文
撰写或编译
作者
俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光地
第一作者单位
出版社
半导体光电, 26(3), 232, 2005
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
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