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MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛, 可用于空间通信、遥感等多方面, 但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此, 本文研制了100×100 μm2 面积的InGaAs-MSM光电探测器, 通过设计InAlGaAs/InGaAs短周期超晶格和InAlAs肖特基势垒增强结构, 将器件暗电流密度降至0.6 pA/ μm2 (5 V偏置), 改善了目前同类...
为了深入地研究在紫外波长范围内利用增益介质补偿等离子传输损耗,设计了具有半导体增益介质的金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal,MSM)等离子体光波导结构。基于时域有限差分法(FDTD),对该波导结构的传输损耗、有效折射率随几何结构的依赖关系进行了分析。进一步研究了利用II-VI 族半导体ZnO 作为增益介质时的无损传播条件。结果表明,当ZnO 宽度为80 nm 时...
采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外 探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性 的要求。
AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性。
AlGaN MSM紫外探测器     AlGaN  MSM  紫外探测器       2009/5/15
AlGaN MSM紫外探测器。
应用有限差分方法对金属-半导体-金属光探测器进行二维分析,全部数值模拟工作都是基于半导体物理的基本微分方程完成的.结合模拟结果对金属-半导体-金属光探测器的瞬态响应进行了分析,以特性分析结果为基础针对探测器的响应速度和响应率等性能指标进行了二维结构上的优化设计.

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