搜索结果: 1-3 共查到“半导体技术 SiC MOSFET”相关记录3条 . 查询时间(0.056 秒)
新年伊始，国家宽禁带半导体工程中心共建单位——陕西半导体先导技术中心迎来了完全自主产权的“龙头”产品——3300V 60mΩ SiC MOSFET的问世，即将于3月份面市。此款产品被命名为“龙头3300-60”，是先导中心和西安电子科技大学经过多年技术积累，攻克各项关键技术难题脱颖而出的佼佼者，也是高校核心技术与企业市场优势完美结合的明星产品。
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/1/30
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
