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中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 ZnO/ZnS 核壳结构 一维纳米材料 单晶ZnS纳米管
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 一维 ZnO/ZnS 核壳结构 纳米阵列 单晶 ZnS纳米管阵列
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能
ZnO压敏电阻 缺陷 微观特性 内建电场
2022/1/20
电力设备的安全运行很大程度上取决于避雷器的过电压保护水平,ZnO压敏电阻因具有优异的非线性伏安特性而广泛应用于电力系统避雷器的核心元件.为了从微观结构上了解ZnO压敏电阻的电学性能,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对含有锌填隙Zni与氧空位Vo缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面进行分析计算,并研究其在不同外电场下的相关电学性质.计算结果表明,弛豫后氧空位Vo缺陷发生迁移.在外电场的作用下,填隙Z...
ZnO基薄膜晶体管有源层制备技术的研究进展
氧化锌 薄膜晶体管 有源层 制备方法
2013/6/15
氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)器件的性能受到多种因素的影响,如半导体有源层、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量,其中有源层的质量起到至关重要的作用,而在影响器件有源层方面,制备方法是其中一个重要的因素。目前,已有多种ZnO半导体有源层制备技术应用于ZnO-TFT的制备(如原子层沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射、溶液法等)。为了更直观地了解各种制备技术所获得的ZnO-TFT器件性能的优劣...
Charged States and Band-Gap Narrowing in Codoped ZnO Nanowires for Enhanced Photoelectrochemical Responses
Charged States Band-Gap Narrowing Codoped ZnO Nanowires Enhanced Photoelectrochemical Responses
2012/2/24
By means of first-principles calculations within the density functional theory, we study the structural and optical properties of codoped ZnO nanowires and compare them with those of the bulk and film...
从晶体取向特点探讨ZnO薄膜的晶体不完整性
氧化锌薄膜 晶体取向 取向柱状多晶体
2009/11/23
用MOCVD法在蓝宝石衬底上得到了ZnO(0002)膜, 并用XRD和SEM进行了表征. 结果表明， 薄膜中沿［0001］择优取向生长的柱状晶垂直于衬底表面, 晶柱之间存在着边界和间隙. X射线Ф扫描实验结果表明, 晶柱之间的取向偏差在3°~30°之间. X射线ω摇摆曲线和谱线宽度分析结果表明, 薄膜中的晶柱是由多个晶粒堆叠而成, 且晶粒之间的平均取向偏差也在2.6°以上. 实验结果表明, ZnO...
添加剂对低压ZnO压敏陶瓷特性的影响
添加剂 压敏陶瓷 微观结构 氧化锌
2009/11/9
按照国外低压ＺｎＯ压敏陶瓷中所含添加剂的种类，利用制备ＺｎＯ压敏陶瓷的常规工艺，对基本添加剂进行单因子实验；研究每种添加剂对ＺｎＯ压敏陶瓷性能和微观结构的影响规律。
采用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备了未掺杂ZnO薄膜和Nd及其与Fe,Mn共掺杂ZnO薄膜.通过XRD分析表明，未掺杂ZnO薄膜沿c轴择优生长，掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长，薄膜为纳米多晶结构.应用AFM观测所有薄膜的表面形貌，掺杂使ZnO薄膜表面粗糙.室温光致发光谱显示，薄膜出现了395?nm的强紫光和495?nm的弱绿光带.Nd掺杂ZnO薄膜的PL谱线峰值强度减弱，Nd与Fe...
ZnO∶Eu3+纳米晶的制备及发光性质研究
ZnO∶Eu3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光
2009/5/7
为了探讨稀土Eu3+与纳米ZnO基质之间的能量传递，利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了ZnO∶Eu3+纳米晶，测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。X射线衍射结果表明，ZnO∶Eu3+具有六角纤锌矿晶体结构。观察到稀土Eu3+强而窄的特征发射和ZnO基质弱而宽的可见发射。分析了稀土Eu3+激发态5D0→7F1,5D0→7F3和5D0→7F2特征发射机制。给...
磁控溅射制备ZnO薄膜的结构及发光特性研究
ZnO薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 光致发光
2009/5/7
采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜，利用X射线衍射、扫描探针显微镜及荧光分光光度法研究了生长温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明，合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜的结晶质量；在室温下测量样品的光致发光谱(PL)，观察到波长位于400 nm左右的紫光、446 nm左右的蓝色发光峰及502 nm左右微弱的绿光峰，随衬底温度升高，样品的PL谱中紫光...
稀土Tb3+掺杂纳米ZnO的发光性质
ZnO∶Tb3+纳米晶 溶胶-凝胶法 光致发光 能量传递
2009/4/24
ZnO是一种优良的直接宽带隙半导体发光材料(Eg=3.4 eV)，具有优异的晶格、光学和电学性质，稀土离子掺杂浓度和热处理温度对ZnO∶Re3+纳米晶发光强度、峰位变化等光学性质具有重要影响。利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)，在不同退火温度下，制备了不同浓度的ZnO∶Tb3+纳米晶。室温下，测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。观察到纳米ZnO基质在520 n...
80 keV N离子注入对ZnO薄膜结构的影响
ZnO薄膜 N离子注入 X射线衍射 透射电镜
2009/4/3
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品， 注量分别为5.0×1014， 5.0×1015和5.0×1016 ions/cm2， 然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征。实验结果表明， 由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中， 注入5.0×1015 ions/cm2时， 观测到缺陷生成和局域无序化现象， 但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向； 随着注量...
第四届全国ZnO学术会议通知（第一轮）
第四届 ZnO 学术会议
2009/3/31
第四届全国ZnO学术会议拟定于2009年8月在北国春城-长春召开。会议由中国物理学会发光分科学会主办，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所承办。
氧氩比对纳米ZnO薄膜蓝光发射光谱的影响
纳米ZnO薄膜 蓝光发射 射频磁控溅射法
2009/3/28
利用射频磁控溅射方法，在石英表面上制备了具有良好的c轴取向的纳米ZnO薄膜。室温下，在300 nm激发下，在450 nm附近观测到ZnO薄膜的蓝光发射谱(430～460 nm)。分析了气氛中氧气与氩气比对薄膜质量及蓝光发射光谱的影响，给出了纳米ZnO薄膜光致发光谱(PL)的积分强度和峰值强度与氧氩比关系。探讨了纳米ZnO薄膜的蓝光光谱的发射机制，初步证实了ZnO蓝光发射(2.88～2.69 eV)...