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本发明涉及一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法，该方法采用基于商用SOI材料和加固SOI材料制作的晶体管作为试验样品；对基于商用材料和加固材料的试验样品开展相同条件下的总剂量辐照试验，提取辐射在氧化物埋层中引入的氧化物陷阱电荷密度；对加固材料制作的晶体管，开展热载流子注入试验，提取热载流子应力在氧化物埋层中引入的电子陷阱电荷密度；基于以上三种陷阱电荷密度，获得加固材料氧化物埋层的电子陷...
部分耗尽环栅CMOS/SOI 总剂量辐射效应研究
离子注入 注氧隔离 绝缘体上硅（SOI） 总剂量辐射效应
2007/12/18
摘要 采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器，并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验。结果表明，受到同样总剂量辐射后，改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比，转换电压漂移小的多，亚阈漏电也得到明显改善，具有较高的抗总剂量辐射水平。