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0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/10
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
研究了电子束蒸发制备的HfO2/SiO2高反膜在1 064 nm与532 nm激光辐照下的损伤行为。基频激光辐照时损伤形貌主要为节瘤缺陷喷溅留下的锥形坑，当能量密度较大时出现分层剥落；二倍频激光损伤主要是由电子缺陷引起的平底坑，辐照脉冲能量密度稍高时也会产生吸收性缺陷引起的锥形坑，但电子缺陷的损伤阈值更低；随着辐照脉冲能量密度的增大分层剥落逐渐成为主要的损伤形貌。分析认为，辐照激光波长的变化，引起...
氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析
电子束蒸发 残余应力 氧分压
2009/8/21
利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜，控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化，代入Stoney公式计算出残余应力，分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大，残余应力由张应力逐渐过渡到压应力，当氧压过大时，压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关，分析了所有样...
新型HfO2栅介质电特性的理论分析与实验研究
二氧化铪 C-V特性 界面态
2009/1/20
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与实验结果吻合．利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度，比较了不同工艺条件下样品的电参数．结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷，从而降低栅极漏电流．
针对新型HfO2栅介质改进的四元件电路模型
二氧化铪 双频C-V法 四元件电路模型
2009/1/16
针对超薄HfO2栅介质MOS电容，提出改进的四元件小信号等效电路模型，修正了双频C-V法，增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数．结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线，消除了高频时的频率色散现象，而且曲线更加接近理想C-V曲线．通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式．实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度．
化学法制备的HfO2薄膜的激光损伤阈值研究
HfO2薄膜 热处理 紫外辐照 HfO2-Al2O3复合薄膜 激光损伤阈值
2008/4/30
采用化学法制备了HfO2介质膜，研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响。采用红外光谱（FTIR）和X射线衍射仪对薄膜进行了表征，并用输出波长为1.064 μm、脉宽为10 ns的电光调Q激光系统测试薄膜的激光损伤阈值。实验结果表明：采用150 ℃左右的温度对薄膜进行热处理可以提高薄膜的激光损伤阈值，所获得的薄膜的激光损伤阈值高达42.32 J/cm2，比热处理前...
用1064nm激光增强HfO2/SiO2薄膜的抗激光损伤能力的实验研究
激光损伤 激光预处理
2008/4/28
用1 064nm激光实验研究了HfO2/SiO2薄膜的激光损伤增强效应，实验以薄膜激光损伤阈值70%的激光能量开始，采用N-ON-1方式处理薄膜，激光脉冲的能量增量为5J/cm2。实验结果表明，激光处理薄膜表面能使激光损伤阈值平均提高到3倍左右，并且薄膜的损伤尺度也明显减小。对有缺陷的薄膜，其缺陷经低能量激光后熔和消除，其抗激光损伤能力得到增强，但增强得并不显著，而薄膜本身的激光预处理，可以使其激...
制备工艺对HfO2薄膜抗激光损伤能力的影响
HfO2薄膜 表面粗糙度 激光损伤
2008/4/28
采用反应蒸镀法沉积了单层HfO2薄膜，观察了薄膜表面主要的微结构缺陷，研究了基片清洗工艺对薄膜损伤阈值的影响。测量了薄膜沉积前后表面粗糙度变化,结果表明, 沉积工艺既可以增加也可以降低粗糙度,并对薄膜抗激光损伤能力有较大的影响。
HfO2/SiO2高反射膜的缺陷及其激光损伤
HfO2/SiO2高反射薄膜 表面缺陷 激光损伤
2008/4/13
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器，对高损伤阈值薄膜常采用的HfO2光损伤所形成的孔洞，与镀制过程中形成的孔洞形貌相似，激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一。