搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术”相关记录5026条 . 查询时间(2.288 秒)
中国科学院单个激光腔中实现高性能单模激光输出
激光 高性能 集成电路
2024/12/18
2024年12月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员张龙与董红星团队，联合湖南大学和南京航空航天大学的研究人员，在激光模式调控技术研究方面取得进展。该团队通过选择性模式结构破缺这一创新方法，在单个激光腔中实现了高性能单模激光输出。相关研究成果以Single-Mode Lasing by Selective Mode Structure Breaking为题，发表在《先进功能材料》（Adv...
中国科学院科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂（图）
聚合物 半导体 集成电路
2024/12/4
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工，可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。目前，可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是，发展高效的化学交联剂至关重要。
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展（图）
张德清 聚合物 半导体
2024/11/27
高迁移率聚合物半导体的设计合成已经取得很大进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临很多困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。可控光化学交联技术是一种与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式，其中发展高效的化学交联剂至关重要。目前，简单高效的交联剂种类有限，交联体系的迁移率、灵敏度、对比度、集成...
国家自然科学基金委员会武大何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件研究方面取得进展（图）
何军 器件 集成电路
2024/11/19
2024年11月19日，《自然·材料》（Nature Materials）在线发表了武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。武汉大学物理科学与技术学院尹蕾研究员、程瑞清副教授和...
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/6
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
2024年11月4日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5，在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展，该成果在线发表于Nature Electronics。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/10/31
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象，显著提升共轭骨架的共平面性和刚性，进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用，并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止，尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
人工智能视觉芯片（图）
人工智能 视觉芯片
2024/10/29
传统多数视觉图像传感器和处理器是分离的，传感器和处理器之间必须通过大规模数据交互才能完成信息处理，这限制了处理的时效性。项目组提出一种将图像传感器和处理器一体化集成的智能视觉芯片设计方案，实现了仿人类视觉系统成像和处理功能，处理和响应速度可达到1000fps，图像传感器的分辨率为256×256。该项目研制的多级并行处理视觉芯片是面向高速图像目标检测、识别、追踪应用的图像处理芯片。该芯片采用了多层次...
一种热电器件测试系统及方法（图）
热电器件 测试系统
2024/10/29
本发明涉及一种热电器件测试系统及方法。该系统包括：外壳与真空法兰形成密闭空间；机械台架置于密闭空间内，固定于真空法兰的上表面；冷却结构置于机械台架的一侧；冷却结构与真空法兰上的冷却剂流道通过胶管连接；加热结构置于机械台架的另一侧；加热结构通过真空法兰上的通信接口与温度控制器连接；温度采集模块与冷却结构和加热结构连接；当热电器件为热电制冷器件时，冷却结构与热电器件连接，电流源和电压采集模块与热电器件...
现场总线集成电路设计技术转化（图）
现场总线 集成电路 技术转化
2024/10/29
核心技术：低功耗设计，波形整形技术。成果体现形式：核心部件。技术成熟度：成品已批量应用。成果领先性：核心指标达到国际技术同等水平。
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测（图）
二维半导体 合成 观测
2024/10/29
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格，如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等，具有电子阻挫效应产生的无色散的能带，即平带，其中存在丰富的电子关联效应。最近，人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态，例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面，与半导体工业中常用的三维半导体相比，二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果（图）
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授方小虎团队在线性毫米波GaN单片集成Doherty功率放大器和宽带无开关G类放大器研究领域中取得进展，相关研究成果分别以“A Linear Millimeter-Wave GaN MMIC Doherty Power Amplifier With Improved AM-AM and AM-PM Characteristics”和“Switchless Cl...
近日，2024年VLSI Symposium在夏威夷州檀香山市Hilton Hawaiian Village酒店举行。该研讨会展示了最新的VLSI技术成果、创新的电路设计及其支持的应用，如人工智能、机器学习、物联网、可穿戴/可植入生物医学应用、大数据、云/边缘计算、虚拟现实(VR)/增强现实(AR)、机器人和自动驾驶汽车。南科大深港微电子学院潘权课题组在2024年VLSI Symposium上发表...