搜索结果: 1-15 共查到“化学工程 SiC”相关记录18条 . 查询时间(0.015 秒)
超级电容储能系统的促进功率响应能力优势是改善分布式发电电源的电能输出效率的有效方式,为此利用SiC器件设计SiC MOSFET典型等效开关模型,并将其应用到超级电容储能系统中,进一步提升系统单位能量的传输能力。基于超级电容器工作原理,建立超级电容储能系统数学模型,有效分析基于超级电容储能的SiC器件变流器性能。
10 kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现
碳化硅 绝缘栅双极晶体管 五区多重场限环 击穿电压
2023/1/30
提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs(equall...
Yb2O3助剂对Ni/SiC催化剂甲烷二氧化碳重整性能的影响
甲烷二氧化碳重整 Ni-Yb/SiC催化剂 助剂 稳定性
2014/6/30
采用浸渍法制备了Ni/SiC和Ni-Ybx/SiC(x=2%、4%、6%、10%,质量分数)催化剂,在固定床反应装置中考察了催化剂在甲烷二氧化碳重整反应中的性能。利用BET、ICP-AES、XRD、H2-TPR、TG-DTA、XPS和TEM等技术对催化剂进行了表征。实验结果表明,Yb的适宜添加量为4%~6%。在800 ℃条件下Ni-Yb4/SiC和Ni-Yb6/SiC催化剂具有优异的催化活性和稳定...
分别采用沉淀法、尿素水解法制备Al2O3/SiC复合载体,采用等体积浸渍法制备Co/Al2O3-SiC催化剂。结合N2吸附、XRD、H2-TPR、XPS等表征手段,研究Al2O3助剂对钴基催化剂物相结构、还原行为以及F-T合成性能等的影响。结果表明,氧化铝加入后增强了载体与钴物种之间的相互作用,提高了钴物种的分散度,降低了钴物种的还原度。尿素水解法引入Al2O3后,载体与钴物种具有适中的相互作用,...
采用等体积浸渍法制备了Ni/SiC甲烷化催化剂, 研究了SiC载体表面氧化程度对催化剂低温活性和高温稳定性的影响, 并采用热重-差示扫描量热、N2物理吸附、傅立叶变换红外光谱、氨程序升温脱附、X射线衍射、氢程序升温还原和氢化学吸附技术对样品进行了表征. 结果表明, 随着载体氧化温度的提高, 催化剂的比表面积和镍分散度降低, 但还原性和反应稳定性提高. 未氧化载体所负载催化剂的高温稳定性最差, 其原...
设计合成了Rh/CeO2-SiC新型催化剂, X射线衍射和透射电镜等表征结果表明, SiC表面均匀分散了4 nm左右的CeO2纳米颗粒, 进而可很好地分散Rh纳米粒子. 该催化剂在乙醇部分氧化制氢反应中显示出优越的催化性能, 乙醇转化率及H2选择性随反应温度的提高而提高, 700 oC时乙醇转化率为100%, H2选择性为50%, CO选择性仅为13%, 且反应40 h未见明显失活, 反应后催化剂...
应用自行设计的新型化学涂层工艺(置换法),对粉末表面进行预处理后,采用自配亲水性溶液对被涂颗粒(SiC)进行表面预处理,改善了涂层金属与颗粒基体的结合状况,与未经亲水性处理的普通置换法相比,新型化学涂层工艺得到了较光滑、致密的Ni涂SiC粉末.实验进一步分析了涂层反应温度、表面活性剂、涂层助剂(乙酸)等因素对涂层效果的影响,结果表明:随着涂层反应温度的升高,涂层沉积速率明显加快,但涂层致密度降低;...
泡沫SiC/Cu双连续相复合材料在NaCl溶液中的腐蚀行为
SiC/Cu双连续相复合材料 腐蚀失重 阻抗谱 残余应力
2010/12/13
用腐蚀失重法和电化学阻抗谱研究了泡沫SiC/Cu双连续相复合材料和对应的基体材料纯Cu在3.5% NaCl水溶液中的腐蚀行为。结果表明,在3.5% NaCl水溶液中,泡沫SiC/Cu双连续相复合材料比纯基体Cu具有更大的腐蚀敏感性,主要原因是该复合材料的特殊结构及残余应力的存在致使泡沫筋微孔中的 Cu严重腐蚀。
Ni-SiC纳米复合镀层腐蚀行为的研究
电沉积 Ni-SiC纳米复合镀层 耐腐蚀性能 电化学阻抗谱
2010/6/1
通过电化学阻抗谱测试技术初步确定制备具有较好耐腐蚀性能镀层的工艺参数。利用扫描电子显微镜观察镀层的表面形貌;借助浸泡实验、电化学阻抗谱、极化曲线等方法对比分析了Ni-SiC纳米复合镀层和纯Ni镀层在0.5 mol/L NaCl溶液和1 mol/L HNO3 溶液中的耐腐蚀性能。结果表明,SiC纳米颗粒的加入提高了镀层的耐腐蚀性能,且镀层耐腐蚀性能随镀层中SiC纳米颗粒含量的增加而提高。