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东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存（图）
开发 纳米 工艺技术 闪存
2008/3/4
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于今日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）23.6讨论会上进行过详细报告。